半导体器件及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410008861.0

申请日：

2004-03-24

公开(公告)号：

CN100338743C

公开(公告)日：

2004-10-06

发明(设计)人：

秋山和隆

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

H01L213205 H01L21301

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-09-19	授权	授权
2014-05-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101582286552 IPC(主分类):H01L 21/31 专利号:ZL2004100088610 申请日:20040324 授权公告日:20070919 终止日期:20130324
2004-10-06	公开	公开
2004-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[2]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[3]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

[4]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[5]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

堀充明 ;

鸟居泰伸 .

中国专利 :CN103579347B ,2014-02-12

[6]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN104934407A ,2015-09-23

[7]

半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31

[8]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

冈本九弘 ;

生云雅光 ;

渡边英二 .

中国专利 :CN1841689A ,2006-10-04

[9]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

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