半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410046293.3

申请日：

2004-06-03

公开(公告)号：

CN100370623C

公开(公告)日：

2005-02-02

发明(设计)人：

江利口浩二松本晋

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2352 H01L21336 H01L21768 H01L213205

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

胡建新

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-02	公开	公开
2008-02-20	授权	授权
2005-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-07-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584051920 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2004100462933 申请日:20040603 授权公告日:20080220 终止日期:20130603

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

大桥英明 .

中国专利 :CN1310304C ,2003-10-08

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

堀井拓 ;

木村真二 ;

木本美津男 .

中国专利 :CN104170093B ,2014-11-26

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

松浦仁 .

中国专利 :CN106409894A ,2017-02-15

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

饭沼俊彦 .

中国专利 :CN1472820A ,2004-02-04

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

坂间光范 ;

浅见勇臣 ;

石丸典子 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1881596A ,2006-12-20

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

后藤孝幸 .

中国专利 :CN103681470A ,2014-03-26

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

金载甲 .

中国专利 :CN1075246C ,1997-09-24

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

南瑞佑 ;

文永俊 ;

慎烘縡 ;

李来寅 .

中国专利 :CN101154629B ,2008-04-02

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

坂间光范 ;

浅见勇臣 ;

石丸典子 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1263159C ,2000-12-13

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