半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610404085.9

申请日：

2016-06-08

公开(公告)号：

CN106409894A

公开(公告)日：

2017-02-15

发明(设计)人：

松浦仁

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L29732 H01L2906 H01L21331

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20160608
2020-09-11	授权	授权
2017-02-15	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

堀井拓 ;

木村真二 ;

木本美津男 .

中国专利 :CN104170093B ,2014-11-26

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

饭沼俊彦 .

中国专利 :CN1472820A ,2004-02-04

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

南瑞佑 ;

文永俊 ;

慎烘縡 ;

李来寅 .

中国专利 :CN101154629B ,2008-04-02

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

小山润 ;

大力浩二 ;

冈崎奖 ;

守屋芳隆 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN100573881C ,2006-09-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

德田悟 .

中国专利 :CN108091694A ,2018-05-29

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

河村圭子 .

中国专利 :CN102983164A ,2013-03-20

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

日野美德 ;

武石直英 ;

谷口敏光 .

中国专利 :CN1258817C ,2002-09-25

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

金成玟 ;

河大元 .

中国专利 :CN110858581A ,2020-03-03

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

金成玟 ;

河大元 .

韩国专利 :CN110858581B ,2025-03-25

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