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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910658647.6
申请日：
2019-07-19
公开(公告)号：
CN110858581A
公开(公告)日：
2020-03-03
发明(设计)人：
金成玟
河大元
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L25065
IPC分类号：
H01L2198
H01L27088
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
倪斌
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-03-03 | 公开 | 公开 |
| 2021-09-10 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/065 申请日:20190719 |