半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310399966.2

申请日：

2013-09-05

公开(公告)号：

CN103681470A

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

后藤孝幸

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23522

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-15	授权	授权
2020-08-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20130905 授权公告日:20180515 终止日期:20190905
2015-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101626460462 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2013103999662 申请日:20130905
2015-11-04	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722950755 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2013103999662 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京
2014-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

坂间光范 ;

浅见勇臣 ;

石丸典子 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1881596A ,2006-12-20

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

坂间光范 ;

浅见勇臣 ;

石丸典子 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1263159C ,2000-12-13

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

堀田胜彦 ;

屉原乡子 ;

早水太一 ;

河野祐一 .

中国专利 :CN100573871C ,2007-01-10

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

大桥英明 .

中国专利 :CN1310304C ,2003-10-08

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

江利口浩二 ;

松本晋 .

中国专利 :CN100370623C ,2005-02-02

[6]

半导体器件制造方法以及半导体器件 [P].

古谷晃 .

中国专利 :CN102683270A ,2012-09-19

[7]

半导体器件制造方法 [P].

大仓嘉之 ;

森俊树 .

中国专利 :CN102290351A ,2011-12-21

[8]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1507012A ,2004-06-23

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

堀井拓 ;

木村真二 ;

木本美津男 .

中国专利 :CN104170093B ,2014-11-26

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN114388473A ,2022-04-22

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