半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610095751.1

申请日：

2006-07-04

公开(公告)号：

CN100573871C

公开(公告)日：

2007-01-10

发明(设计)人：

堀田胜彦屉原乡子早水太一河野祐一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L23525 H01L21822 H01L21768

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101033588090 IPC(主分类):H01L 27/04 专利号:ZL2006100957511 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社瑞萨科技变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20100907
2009-12-23	授权	授权
2008-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-12-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/04 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2007-01-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

福井胜一 ;

森本升 ;

西冈康隆 ;

泉谷淳子 ;

石井敦司 .

中国专利 :CN101661900A ,2010-03-03

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

坂间光范 ;

浅见勇臣 ;

石丸典子 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1881596A ,2006-12-20

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

坂间光范 ;

浅见勇臣 ;

石丸典子 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1263159C ,2000-12-13

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

大桥英明 .

中国专利 :CN1310304C ,2003-10-08

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN114388473A ,2022-04-22

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

铃村直仁 ;

冈好浩 .

中国专利 :CN103515221B ,2014-01-15

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

挂端哲弥 ;

大沼英人 ;

永井雅晴 ;

纳光明 ;

坂仓真之 ;

小森茂树 .

中国专利 :CN1873933B ,2006-12-06

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

后藤孝幸 .

中国专利 :CN103681470A ,2014-03-26

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

松本雅弘 ;

藤泽雅彦 ;

大崎明彦 ;

石井敦司 .

中国专利 :CN102379036A ,2012-03-14

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐佐木弘次 .

中国专利 :CN103094330B ,2013-05-08

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