半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610092457.5

申请日：

2006-06-01

公开(公告)号：

CN1873933B

公开(公告)日：

2006-12-06

发明(设计)人：

山崎舜平挂端哲弥大沼英人永井雅晴纳光明坂仓真之小森茂树

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2184

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

李玲

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20060601 授权公告日:20100616 终止日期:20180601
2006-12-06	公开	公开
2008-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-06-16	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

矶部敦生 ;

村上智史 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1855399A ,2006-11-01

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

张宏勇 .

中国专利 :CN1088712A ,1994-06-29

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

神野洋平 ;

渡边康子 .

中国专利 :CN1697196A ,2005-11-16

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

矶部敦生 ;

山崎舜平 ;

小久保千穗 ;

田中幸一郎 ;

下村明久 ;

荒尾达也 ;

宫入秀和 ;

秋叶麻衣 .

中国专利 :CN1435864A ,2003-08-13

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

泽田真人 ;

飞松博 ;

小田耕治 ;

上浦有纪 ;

芝田耕治 ;

川田宏幸 .

中国专利 :CN1430248A ,2003-07-16

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

新川田裕树 .

中国专利 :CN107546232A ,2018-01-05

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

矶部敦生 ;

山崎舜平 ;

小久保千穗 ;

田中幸一郎 ;

下村明久 ;

荒尾达也 ;

宫入秀和 ;

秋叶麻衣 .

中国专利 :CN101299412A ,2008-11-05

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

张宏勇 .

中国专利 :CN1248069A ,2000-03-22

[9]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

寺本章伸 ;

神林宏 ;

上田博一 ;

两角友一朗 ;

原田豪繁 ;

长谷部一秀 ;

大见忠弘 .

中国专利 :CN103339733A ,2013-10-02

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

浜田崇 ;

村上智史 ;

山崎舜平 ;

中村理 ;

梶尾诚之 ;

肥纯一 ;

高山彻 .

中国专利 :CN100373620C ,2002-08-28

← 1 2 3 4 5 →