半导体器件的接触结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410057912.9

申请日：

2004-08-26

公开(公告)号：

CN100353540C

公开(公告)日：

2005-04-06

发明(设计)人：

金俊永崔秉龙李银京

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L2352 H01L2978 H01L2704 H01L2128 H01L21768 H01L2182

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-05	授权	授权
2010-09-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101005934355 IPC(主分类):H01L 23/48 专利号:ZL2004100579129 申请日:20040826 授权公告日:20071205
2005-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-04-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的接触结构及其制造方法 [P].

金载甲 .

中国专利 :CN1117202A ,1996-02-21

[2]

金属半导体接触结构及半导体器件的制造方法 [P].

李翔 ;

勇越 ;

谢志平 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN117650044A ,2024-03-05

[3]

半导体结构的制造方法及其半导体器件 [P].

王路广 .

中国专利 :CN115666131A ,2023-01-31

[4]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

辛柏寰 ;

邱盈翰 .

中国专利 :CN119069476A ,2024-12-03

[5]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

孙正庆 ;

金星 .

中国专利 :CN114256133B ,2024-09-20

[6]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

吴俊毅 ;

余振华 ;

刘重希 .

中国专利 :CN113314497A ,2021-08-27

[7]

半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P].

胡洋 ;

刘国全 ;

吴小鹏 ;

吕晖 .

中国专利 :CN118613053A ,2024-09-06

[8]

半导体结构及其制造方法、半导体器件 [P].

吴桐 .

中国专利 :CN113241335B ,2021-08-10

[9]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN114361163A ,2022-04-15

[10]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

张盟昇 ;

杨耀仁 .

中国专利 :CN110854118B ,2020-02-28

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