金属半导体接触结构及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311676783.0

申请日：

2023-12-07

公开(公告)号：

CN117650044A

公开(公告)日：

2024-03-05

发明(设计)人：

李翔勇越谢志平丛茂杰

申请人：

芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号

IPC主分类号：

H01L21/04

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/04申请日:20231207
2024-03-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件金属欧姆接触的制备方法及半导体结构 [P].

樊颖涛 ;

林露 ;

陈蔚 .

中国专利 :CN119811990A ,2025-04-11

[2]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

浅野正义 ;

三谷纯一 .

中国专利 :CN102623489A ,2012-08-01

[3]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

远藤佑太 .

中国专利 :CN102939659A ,2013-02-20

[4]

制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

D·莱萨切克 ;

J·希布尔 ;

D·波什图尔卡 ;

J·亚里娜 ;

V·亚尼里克 ;

A·申科娃 .

美国专利 :CN117637471A ,2024-03-01

[5]

半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

张玉乾 ;

唐家乐 ;

赖铭智 ;

孙长征 .

中国专利 :CN113823992B ,2021-12-21

[6]

半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件 [P].

耿佳 ;

邓元吉 ;

卢俊玮 .

中国专利 :CN120565500A ,2025-08-29

[7]

半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

吴世勋 ;

李晓玉 .

中国专利 :CN118675984A ,2024-09-20

[8]

半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件 [P].

耿佳 ;

邓元吉 ;

卢俊玮 .

中国专利 :CN120565500B ,2025-10-31

[9]

半导体结构、半导体结构的制造方法及半导体器件 [P].

蒋国梁 ;

杨军 .

中国专利 :CN120233637A ,2025-07-01

[10]

半导体器件制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 ;

李俊峰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103165457A ,2013-06-19

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