制造半导体器件的方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311010281.4

申请日：

2023-08-10

公开(公告)号：

CN117637471A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

D·莱萨切克 J·希布尔 D·波什图尔卡 J·亚里娜 V·亚尼里克 A·申科娃

申请人：

半导体元件工业有限责任公司

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L21/324

IPC分类号：

H01L21/67 H01L29/739

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

任超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开
2025-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/324申请日:20230810

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31

[2]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

冈本九弘 ;

生云雅光 ;

渡边英二 .

中国专利 :CN1841689A ,2006-10-04

[3]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

伊藤贵之 .

中国专利 :CN1574292A ,2005-02-02

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

M·贝宁格-比纳 ;

M·哈里森 ;

P·因里希 ;

E·纳佩施尼格 ;

A·贝伦特 ;

R·哈特尔 ;

R·林德纳 .

中国专利 :CN115497907A ,2022-12-20

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

拉杜·C.·苏尔代亚努 ;

赫尔本·多恩博斯 ;

马库斯·J.·H.·范达尔 .

中国专利 :CN1922719B ,2007-02-28

[6]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

冈本真一 ;

冈崎勉 .

中国专利 :CN108010911A ,2018-05-08

[7]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

金阳 .

中国专利 :CN115332218A ,2022-11-11

[8]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

森隆弘 .

中国专利 :CN108091681A ,2018-05-29

[9]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

付志强 ;

施剑华 .

中国专利 :CN115394638A ,2022-11-25

[10]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

秋山和隆 .

中国专利 :CN100338743C ,2004-10-06

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