半导体器件及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711160518.1

申请日：

2017-11-20

公开(公告)号：

CN108091681A

公开(公告)日：

2018-05-29

发明(设计)人：

森隆弘

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟;闫剑平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-29	公开	公开
2019-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20171120

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31

[2]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

冈本九弘 ;

生云雅光 ;

渡边英二 .

中国专利 :CN1841689A ,2006-10-04

[3]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

冈本真一 ;

冈崎勉 .

中国专利 :CN108010911A ,2018-05-08

[4]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

金阳 .

中国专利 :CN115332218A ,2022-11-11

[5]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

付志强 ;

施剑华 .

中国专利 :CN115394638A ,2022-11-25

[6]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

秋山和隆 .

中国专利 :CN100338743C ,2004-10-06

[7]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

舛冈富士雄 ;

原田望 .

中国专利 :CN102792452A ,2012-11-21

[8]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

丰田启 ;

中尾光博 ;

莲沼正彦 ;

金子尚史 ;

坂田敦子 ;

小向敏章 .

中国专利 :CN1241261C ,2002-10-23

[9]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[10]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

杉野干二 ;

石桥健夫 ;

胜谷隆之 .

中国专利 :CN1244723A ,2000-02-16

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