半导体器件及半导体器件的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN02118069.5
申请日
2002-03-01
公开(公告)号
CN1241261C
公开(公告)日
2002-10-23
发明(设计)人
丰田启 中尾光博 莲沼正彦 金子尚史 坂田敦子 小向敏章
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L23532
IPC分类号
H01L2348 H01L21768
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
王永刚
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及半导体器件的制造方法 [P]. 
丰田启 ;
中尾光博 ;
莲沼正彦 ;
金子尚史 ;
坂田敦子 ;
小向敏章 .
中国专利 :CN1776903A ,2006-05-24
[2]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
奥村绫香 ;
堀田胜彦 ;
近藤由宪 ;
大坂宏彰 .
中国专利 :CN104779173A ,2015-07-15
[3]
半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P]. 
重岁卓志 .
日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31
[4]
半导体器件及半导体器件制造方法 [P]. 
冈本九弘 ;
生云雅光 ;
渡边英二 .
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[5]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
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中国专利 :CN113675167A ,2021-11-19
[6]
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加藤信之 .
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[7]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
加藤信之 .
日本专利 :CN120897498A ,2025-11-04
[8]
半导体器件及制造半导体器件的方法 [P]. 
冈本真一 ;
冈崎勉 .
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[9]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
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[10]
半导体器件及半导体器件的制造方法 [P]. 
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