半导体器件及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510128561.0

申请日：

2002-03-01

公开(公告)号：

CN1776903A

公开(公告)日：

2006-05-24

发明(设计)人：

丰田启中尾光博莲沼正彦金子尚史坂田敦子小向敏章

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L23485

IPC分类号：

H01L23522

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-05-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

丰田启 ;

中尾光博 ;

莲沼正彦 ;

金子尚史 ;

坂田敦子 ;

小向敏章 .

中国专利 :CN1241261C ,2002-10-23

[2]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

奥村绫香 ;

堀田胜彦 ;

近藤由宪 ;

大坂宏彰 .

中国专利 :CN104779173A ,2015-07-15

[3]

半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31

[4]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

冈本九弘 ;

生云雅光 ;

渡边英二 .

中国专利 :CN1841689A ,2006-10-04

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

加藤信之 .

中国专利 :CN113675167A ,2021-11-19

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

加藤信之 .

日本专利 :CN113675167B ,2025-08-01

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

加藤信之 .

日本专利 :CN120897498A ,2025-11-04

[8]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

冈本真一 ;

冈崎勉 .

中国专利 :CN108010911A ,2018-05-08

[9]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

金阳 .

中国专利 :CN115332218A ,2022-11-11

[10]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

森隆弘 .

中国专利 :CN108091681A ,2018-05-29

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