半导体器件的制造方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280000412.4

申请日：

2012-02-07

公开(公告)号：

CN102792452A

公开(公告)日：

2012-11-21

发明(设计)人：

舛冈富士雄原田望

申请人：

申请人地址：

新加坡柏龄大厦

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

冯志云;吕俊清

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101719110638 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2012800004124 申请公布日:20121121
2013-01-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101378921120 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2012800004124 申请日:20120207
2012-11-21	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[2]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

[3]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

堀充明 ;

鸟居泰伸 .

中国专利 :CN103579347B ,2014-02-12

[4]

半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31

[5]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

冈本九弘 ;

生云雅光 ;

渡边英二 .

中国专利 :CN1841689A ,2006-10-04

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

新山浩司 .

日本专利 :CN120711753A ,2025-09-26

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

S·J·克斯特 ;

A·马宗达 ;

蔡劲 .

中国专利 :CN101908561B ,2010-12-08

[9]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

邱雅文 ;

詹易哲 ;

谭伦光 ;

潘正扬 ;

赵晟博 ;

梁品筑 ;

陈弘耀 ;

余德伟 ;

李益诚 .

中国专利 :CN113299742B ,2024-04-05

[10]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

元田隆 ;

加藤学 .

中国专利 :CN1144396A ,1997-03-05

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