半导体器件及其电接触结构与制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910926990.4

申请日：

2019-09-27

公开(公告)号：

CN111640747A

公开(公告)日：

2020-09-08

发明(设计)人：

童宇诚詹益旺黄永泰方晓培吴少一

申请人：

申请人地址：

362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L2348 H01L21768 H01L218242

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

王宏婧

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-08	公开	公开
2020-10-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20190927

共 50 条

[1]

半导体器件及其电接触结构与制造方法 [P].

童宇诚 ;

詹益旺 ;

黄永泰 ;

方晓培 ;

吴少一 .

中国专利 :CN111640747B ,2025-09-12

[2]

半导体器件及其电接触结构 [P].

童宇诚 ;

詹益旺 ;

黄永泰 ;

方晓培 ;

吴少一 .

中国专利 :CN210575953U ,2020-05-19

[3]

半导体器件及其电接触结构、制造方法 [P].

童宇诚 ;

赖惠先 .

中国专利 :CN111640748A ,2020-09-08

[4]

半导体器件及其电接触结构、制造方法 [P].

童宇诚 ;

赖惠先 .

中国专利 :CN111640748B ,2025-07-04

[5]

半导体器件及其电接触结构 [P].

童宇诚 ;

赖惠先 .

中国专利 :CN210778604U ,2020-06-16

[6]

半导体结构及其制造方法与半导体器件 [P].

周源 ;

张小麟 ;

李静怡 ;

王超 ;

张志文 ;

朱林迪 ;

牛玉玮 ;

郭艳华 .

中国专利 :CN109830527A ,2019-05-31

[7]

半导体器件制造方法与半导体器件 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN111106106B ,2025-02-25

[8]

半导体器件制造方法与半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111106106A ,2020-05-05

[9]

半导体器件的接触结构及其制造方法 [P].

金载甲 .

中国专利 :CN1117202A ,1996-02-21

[10]

半导体器件的接触结构及其制造方法 [P].

金俊永 ;

崔秉龙 ;

李银京 .

中国专利 :CN100353540C ,2005-04-06

← 1 2 3 4 5 →