半导体器件结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201821764773.7
申请日
2018-10-25
公开(公告)号
CN208835064U
公开(公告)日
2019-05-07
发明(设计)人
不公告发明人
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
代理机构
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人
李华;崔香丹
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件结构及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111106112A ,2020-05-05
[2]
半导体器件结构及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN111106112B ,2025-01-10
[3]
半导体器件结构 [P]. 
刘煦冉 ;
程海英 ;
周泽阳 .
中国专利 :CN216288390U ,2022-04-12
[4]
半导体器件结构 [P]. 
徐吉程 ;
潘群华 .
中国专利 :CN216354216U ,2022-04-19
[5]
半导体器件结构 [P]. 
G·M·格里弗纳 .
中国专利 :CN207458950U ,2018-06-05
[6]
半导体器件结构 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN209029381U ,2019-06-25
[7]
半导体器件及半导体器件结构 [P]. 
P·莫恩斯 ;
A·维拉莫 ;
P·范米尔贝克 ;
J·罗伊格-吉塔特 ;
F·伯格曼 .
中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02
[8]
半导体器件及半导体器件结构 [P]. 
J·罗伊格-吉塔特 ;
P·莫恩斯 ;
P·范米尔贝克 .
中国专利 :CN203690305U ,2014-07-02
[9]
单片半导体器件和半导体器件 [P]. 
J·W·霍尔 ;
G·M·格里弗纳 .
中国专利 :CN208189591U ,2018-12-04
[10]
半导体器件和半导体结构 [P]. 
江宏礼 ;
吉拉迪·卡罗 ;
拉杜·安娜 .
中国专利 :CN120711729A ,2025-09-26