半导体器件结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920573186.8

申请日：

2019-04-24

公开(公告)号：

CN210040208U

公开(公告)日：

2020-02-07

发明(设计)人：

穆罕默德·T·库杜斯 M·马德浩克卡

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2906 H01L21329

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

杨雅;姚开丽

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件结构 [P].

穆罕默德·T·库杜斯 ;

M·马德浩克卡 .

中国专利 :CN211045446U ,2020-07-17

[2]

半导体器件 [P].

R.西米尼克 ;

M.胡茨勒 ;

O.布兰克 ;

L.J.叶 .

中国专利 :CN203242633U ,2013-10-16

[3]

半导体器件 [P].

M·马德浩克卡 ;

穆罕默德·T·库杜斯 ;

申益勋 ;

斯科特·M·唐纳森 .

中国专利 :CN209298121U ,2019-08-23

[4]

半导体器件结构 [P].

阿里·萨利赫 ;

戈登·M·格里芙尼亚 ;

丹尼尔·R·赫特尔 ;

欧萨姆·艾石马鲁 ;

托马斯·基娜 ;

马萨弗米·乌哈拉 .

中国专利 :CN207602570U ,2018-07-10

[5]

半导体器件结构 [P].

徐吉程 ;

潘群华 .

中国专利 :CN216354216U ,2022-04-19

[6]

半导体器件结构 [P].

J·C·J·杰森斯 .

中国专利 :CN206451708U ,2017-08-29

[7]

半导体器件结构 [P].

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN207458950U ,2018-06-05

[8]

半导体器件结构 [P].

Z·豪森 ;

浅野哲郎 ;

宫原昭二 ;

佐山康之 .

中国专利 :CN209087847U ,2019-07-09

[9]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

张廷祥 ;

柯忠廷 ;

廖书翎 ;

林育如 ;

林颂恩 ;

黄泰钧 ;

李资良 .

中国专利 :CN120302696A ,2025-07-11

[10]

半导体器件及半导体器件结构 [P].

P·莫恩斯 ;

A·维拉莫 ;

P·范米尔贝克 ;

J·罗伊格-吉塔特 ;

F·伯格曼 .

中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02

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