半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920088612.9

申请日：

2019-01-18

公开(公告)号：

CN209298121U

公开(公告)日：

2019-08-23

发明(设计)人：

M·马德浩克卡穆罕默德·T·库杜斯申益勋斯科特·M·唐纳森

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L21329

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

王琳;姚开丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-23	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件结构 [P].

穆罕默德·T·库杜斯 ;

M·马德浩克卡 .

中国专利 :CN211045446U ,2020-07-17

[2]

半导体器件结构 [P].

穆罕默德·T·库杜斯 ;

M·马德浩克卡 .

中国专利 :CN210040208U ,2020-02-07

[3]

半导体器件 [P].

R.西米尼克 ;

M.胡茨勒 ;

O.布兰克 ;

L.J.叶 .

中国专利 :CN203242633U ,2013-10-16

[4]

半导体组件和半导体器件 [P].

刘春利 ;

A·萨利 .

中国专利 :CN204792696U ,2015-11-18

[5]

半导体器件结构 [P].

阿里·萨利赫 ;

戈登·M·格里芙尼亚 ;

丹尼尔·R·赫特尔 ;

欧萨姆·艾石马鲁 ;

托马斯·基娜 ;

马萨弗米·乌哈拉 .

中国专利 :CN207602570U ,2018-07-10

[6]

半导体器件和HEMT器件 [P].

F·尤科纳洛 ;

A·康斯坦特 ;

C·特林加利 ;

M·E·卡斯塔尼亚 .

:CN222547914U ,2025-02-28

[7]

IGBT半导体器件以及半导体器件 [P].

M·库鲁西 ;

J·瓦韦罗 .

中国专利 :CN206697484U ,2017-12-01

[8]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN207367973U ,2018-05-15

[9]

半导体器件 [P].

A·萨利 ;

Z·豪森 ;

G·格里夫纳 .

中国专利 :CN204144257U ,2015-02-04

[10]

半导体器件 [P].

胁本博树 ;

中泽治雄 ;

宫坂靖 .

中国专利 :CN103370791B ,2013-10-23

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