半导体器件中孔、半导体器件的制备方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010442740.6

申请日：

2020-05-22

公开(公告)号：

CN113707659A

公开(公告)日：

2021-11-26

发明(设计)人：

夏军刘涛宛强姜正秀占康澍李森

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260

代理人：

成丽杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-26	公开	公开
2021-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20200522

共 50 条

[1]

半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

王飞飞 ;

李健飞 ;

徐宝盈 ;

杨志政 .

中国专利 :CN120432382A ,2025-08-05

[2]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

马跃 ;

袁家贵 ;

何云 .

中国专利 :CN115346870A ,2022-11-15

[3]

半导体器件及半导体器件的制备方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN112908837B ,2025-04-11

[4]

半导体器件及半导体器件的制备方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN112908837A ,2021-06-04

[5]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

马跃 ;

袁家贵 ;

何云 .

中国专利 :CN115346870B ,2025-12-30

[6]

半导体器件及半导体器件的电容孔制备方法 [P].

鲍锡飞 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN112652529B ,2021-04-13

[7]

半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

方冬 ;

卞铮 .

中国专利 :CN111200018B ,2020-05-26

[8]

半导体器件制备方法及半导体器件 [P].

佟金阳 ;

姚中辉 .

中国专利 :CN119890044B ,2025-06-20

[9]

半导体器件制备方法及半导体器件 [P].

李马惠 ;

宋晓栋 ;

师宇晨 ;

张海超 .

中国专利 :CN112242433A ,2021-01-19

[10]

半导体器件制备方法及半导体器件 [P].

佟金阳 ;

姚中辉 .

中国专利 :CN119890044A ,2025-04-25

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