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半导体器件及半导体器件的电容孔制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910952713.0
申请日：
2019-10-09
公开(公告)号：
CN112652529B
公开(公告)日：
2021-04-13
发明(设计)人：
鲍锡飞
其他发明人请求不公开姓名
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H01L21308
IPC分类号：
H01L27108
H01L218242
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
汪洁丽
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-04-13 | 公开 | 公开 |
| 2021-04-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/308 申请日:20191009 |
| 2022-03-22 | 授权 | 授权 |