半导体器件及半导体器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911134775.7

申请日：

2019-11-19

公开(公告)号：

CN112908837B

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

刘志拯

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L21/033

IPC分类号：

H10B12/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

王飞飞 ;

李健飞 ;

徐宝盈 ;

杨志政 .

中国专利 :CN120432382A ,2025-08-05

[2]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

马跃 ;

袁家贵 ;

何云 .

中国专利 :CN115346870A ,2022-11-15

[3]

半导体器件及半导体器件的制备方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN112908837A ,2021-06-04

[4]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

马跃 ;

袁家贵 ;

何云 .

中国专利 :CN115346870B ,2025-12-30

[5]

半导体器件中孔、半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

夏军 ;

刘涛 ;

宛强 ;

姜正秀 ;

占康澍 ;

李森 .

中国专利 :CN113707659A ,2021-11-26

[6]

半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

方冬 ;

卞铮 .

中国专利 :CN111200018B ,2020-05-26

[7]

半导体器件制备方法及半导体器件 [P].

佟金阳 ;

姚中辉 .

中国专利 :CN119890044B ,2025-06-20

[8]

半导体器件制备方法及半导体器件 [P].

李马惠 ;

宋晓栋 ;

师宇晨 ;

张海超 .

中国专利 :CN112242433A ,2021-01-19

[9]

半导体器件制备方法及半导体器件 [P].

佟金阳 ;

姚中辉 .

中国专利 :CN119890044A ,2025-04-25

[10]

半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

代佳 ;

于江勇 ;

刘恩峰 .

中国专利 :CN120674411A ,2025-09-19

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