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半导体器件及半导体器件的制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911134775.7
申请日：
2019-11-19
公开(公告)号：
CN112908837A
公开(公告)日：
2021-06-04
发明(设计)人：
刘志拯
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H01L21033
IPC分类号：
H01L218242
H01L27108
代理机构：
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
史治法
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-06-22 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/033 申请日:20191119 |
| 2021-06-04 | 公开 | 公开 |