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半导体器件制备方法及半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510336746.8
申请日：
2025-03-21
公开(公告)号：
CN119890044B
公开(公告)日：
2025-06-20
发明(设计)人：
佟金阳
姚中辉
申请人：
度亘核芯光电技术（苏州）股份有限公司
申请人地址：
215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号东北区32幢
IPC主分类号：
H01L21/3205
IPC分类号：
C30B33/10
代理机构：
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人：
宋南
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-20 | 授权 | 授权 |
| 2025-04-25 | 公开 | 公开 |
| 2025-05-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3205申请日:20250321 |