半导体器件制备方法及半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910431035.3
申请日
2019-05-22
公开(公告)号
CN111987040A
公开(公告)日
2020-11-24
发明(设计)人
周耀辉 秦仁刚 孙晓峰 文浩宇
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
吴平;邓云鹏
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件制备方法 [P]. 
文浩宇 ;
孙晓峰 ;
秦仁刚 ;
周耀辉 .
中国专利 :CN111987039A ,2020-11-24
[2]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
熊伟 ;
陈华伦 ;
钱文生 ;
胡君 .
中国专利 :CN111128700A ,2020-05-08
[3]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
史仁先 ;
王国峰 .
中国专利 :CN114334632A ,2022-04-12
[4]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
史仁先 ;
王国峰 .
中国专利 :CN114334632B ,2025-08-22
[5]
半导体器件及半导体器件制备方法 [P]. 
方冬 ;
卞铮 .
中国专利 :CN111200018B ,2020-05-26
[6]
半导体器件及半导体器件制备方法 [P]. 
刘志国 ;
李寿全 ;
张彦飞 ;
刘梦新 ;
温霄霞 .
中国专利 :CN119421459B ,2025-04-25
[7]
半导体器件及半导体器件制备方法 [P]. 
胡燕萌 ;
岳丹诚 .
中国专利 :CN117727786A ,2024-03-19
[8]
半导体器件及半导体器件制备方法 [P]. 
刘志国 ;
李寿全 ;
张彦飞 ;
刘梦新 ;
温霄霞 .
中国专利 :CN119421459A ,2025-02-11
[9]
半导体器件的形成方法及半导体器件 [P]. 
张海洋 ;
陈海华 ;
马擎天 .
中国专利 :CN101202232B ,2008-06-18
[10]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
马跃 ;
袁家贵 ;
何云 .
中国专利 :CN115346870A ,2022-11-15