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半导体器件及半导体器件制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311723220.2
申请日：
2023-12-14
公开(公告)号：
CN117727786A
公开(公告)日：
2024-03-19
发明(设计)人：
胡燕萌
岳丹诚
申请人：
苏州华太电子技术股份有限公司
申请人地址：
215123 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10号楼1楼
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/45
H01L29/417
H01L21/336
代理机构：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258
代理人：
娜拉
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省
苏州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-19 | 公开 | 公开 |
| 2024-04-05 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20231214 |