一种过渡金属二维纳米片的应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201711193373.5
申请日
2017-11-24
公开(公告)号
CN108097038B
公开(公告)日
2018-06-01
发明(设计)人
江莉龙 沈丽娟 张林燕 曹彦宁
申请人
申请人地址
350116 福建省福州市福州地区大学新区学园路2号
IPC主分类号
B01D5386
IPC分类号
B01D5352 B01J2106 B01J3510
代理机构
北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250
代理人
李静
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种d10过渡金属炔化物二维纳米片及其制备方法 [P]. 
张辰 ;
魏晨阳 ;
步文博 ;
施剑林 .
中国专利 :CN106928257A ,2017-07-07
[2]
一种过渡金属掺杂二维碳纳米片及其制备方法和应用 [P]. 
蔡卫卫 ;
时佳维 ;
李静 ;
张丽 ;
周顺发 ;
刘朝 .
中国专利 :CN112952119B ,2021-06-11
[3]
一种超薄二维纳米片的制备方法和超薄二维纳米片及其应用 [P]. 
吴忠帅 ;
张良柱 .
中国专利 :CN120622538A ,2025-09-12
[4]
二维材料制备方法及二维纳米片 [P]. 
张凯 ;
李杰 ;
陆杨 ;
俞强 .
中国专利 :CN118668176A ,2024-09-20
[5]
一种小尺寸过渡金属硫族化合物二维纳米片的制备方法 [P]. 
宇文力辉 ;
汪联辉 ;
朱迪 ;
修尉峻 ;
张玉倩 ;
单京阳 ;
李潇 .
中国专利 :CN108423642B ,2018-08-21
[6]
一种二维纳米片的制备方法 [P]. 
顾林 ;
孙九龙 .
中国专利 :CN113620261B ,2021-11-09
[7]
一种二维纳米片的制备方法 [P]. 
刘荣梅 ;
江紫翔 ;
汪越哲 ;
舒畅 ;
孙雪莹 .
中国专利 :CN108640167A ,2018-10-12
[8]
一种二维纳米片的制备工艺 [P]. 
潘锴 ;
李佳琪 ;
邓思凤 ;
欧云 ;
山东良 ;
刘运牙 ;
谢淑红 .
中国专利 :CN114920552A ,2022-08-19
[9]
一种二维纳米片层过渡金属硫化物双向开关器件 [P]. 
张楷亮 ;
方明旭 ;
王芳 ;
冯玉林 ;
唐登轩 ;
李悦 .
中国专利 :CN105845739A ,2016-08-10
[10]
二维纳米片及其制备方法 [P]. 
张瑞 ;
郑国义 ;
郑杰思 .
中国专利 :CN106587087A ,2017-04-26