互连结构、半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110734479.1

申请日：

2021-06-30

公开(公告)号：

CN113809046A

公开(公告)日：

2021-12-17

发明(设计)人：

邱德馨赖韦安沈孟弘林威呈曾健庭萧锦涛

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23528

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-17	公开	公开
2022-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/528 申请日:20210630

共 50 条

[1]

互连结构、半导体结构及其形成方法 [P].

邱德馨 ;

赖韦安 ;

沈孟弘 ;

林威呈 ;

曾健庭 ;

萧锦涛 .

中国专利 :CN113809046B ,2025-02-28

[2]

互连结构、半导体结构及其形成方法 [P].

何宜臻 ;

林千 ;

余承晔 ;

陈新兴 ;

谢忠儒 .

中国专利 :CN113380694A ,2021-09-10

[3]

互连结构、包含互连结构的半导体结构及其形成方法 [P].

蔡荣洲 ;

张丰愿 ;

黄博祥 ;

刘钦洲 ;

郑仪侃 .

中国专利 :CN112447669A ,2021-03-05

[4]

半导体互连结构及其形成方法、半导体封装结构 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN118039557A ,2024-05-14

[5]

互连结构的形成方法和半导体结构 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN105206561B ,2015-12-30

[6]

互连结构及其制备方法、半导体结构 [P].

朱德龙 .

中国专利 :CN112928095A ,2021-06-08

[7]

半导体互连结构及形成方法 [P].

甘正浩 .

中国专利 :CN103187395A ,2013-07-03

[8]

互连结构及其形成方法 [P].

杨罡 .

中国专利 :CN111627855B ,2020-09-04

[9]

互连结构及其形成方法 [P].

袁可方 ;

周俊卿 ;

张海洋 ;

王智东 .

中国专利 :CN109755175A ,2019-05-14

[10]

互连结构及其形成方法 [P].

杨罡 .

中国专利 :CN110494971A ,2019-11-22

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