互连结构的形成方法和半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410230783.2

申请日：

2014-05-28

公开(公告)号：

CN105206561B

公开(公告)日：

2015-12-30

发明(设计)人：

肖德元

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23532

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101643923668 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2014102307832 申请日:20140528
2018-08-10	授权	授权
2015-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

互连结构、包含互连结构的半导体结构及其形成方法 [P].

蔡荣洲 ;

张丰愿 ;

黄博祥 ;

刘钦洲 ;

郑仪侃 .

中国专利 :CN112447669A ,2021-03-05

[2]

半导体互连结构和形成半导体结构的方法 [P].

刘中伟 ;

蓝锦坤 .

中国专利 :CN111128863A ,2020-05-08

[3]

互连结构、半导体结构及其形成方法 [P].

邱德馨 ;

赖韦安 ;

沈孟弘 ;

林威呈 ;

曾健庭 ;

萧锦涛 .

中国专利 :CN113809046B ,2025-02-28

[4]

互连结构、半导体结构及其形成方法 [P].

何宜臻 ;

林千 ;

余承晔 ;

陈新兴 ;

谢忠儒 .

中国专利 :CN113380694A ,2021-09-10

[5]

互连结构、半导体结构及其形成方法 [P].

邱德馨 ;

赖韦安 ;

沈孟弘 ;

林威呈 ;

曾健庭 ;

萧锦涛 .

中国专利 :CN113809046A ,2021-12-17

[6]

互连结构和形成半导体结构的方法 [P].

苏敬庭 ;

李劭宽 ;

杨光玮 ;

黄心岩 ;

张孝慷 .

中国专利 :CN121011564A ,2025-11-25

[7]

半导体互连结构及形成方法 [P].

甘正浩 .

中国专利 :CN103187395A ,2013-07-03

[8]

互连结构以及形成半导体结构的方法 [P].

陈思桦 ;

胡宽侃 ;

温伟源 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN119905458A ,2025-04-29

[9]

半导体互连结构及其形成方法、半导体封装结构 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN118039557A ,2024-05-14

[10]

半导体结构的互连方法与半导体互连结构 [P].

吴秉桓 .

中国专利 :CN111261578B ,2024-07-19

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