发光二极管基板阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210519533.1

申请日：

2012-12-06

公开(公告)号：

CN103681726B

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

周彦志

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学园区工业东三路3号

IPC主分类号：

H01L2715

IPC分类号：

H01L3362 H01L3338

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-26	公开	公开
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581692435 IPC(主分类):H01L 27/15 专利申请号:2012105195331 申请日:20121206
2016-12-21	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管阵列基板 [P].

邱立国 .

中国专利 :CN202839736U ,2013-03-27

[2]

发光二极管基板与发光二极管 [P].

谢依珊 ;

林博文 ;

杨昆霖 ;

彭俊彦 ;

徐文庆 .

中国专利 :CN202395020U ,2012-08-22

[3]

制造微发光二极管阵列基板的方法、微发光二极管阵列基板、微发光二极管显示设备 [P].

陈鹏 ;

张新霞 ;

李恒滨 ;

王国磊 .

中国专利 :CN111492485A ,2020-08-04

[4]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN301868610S ,2012-03-21

[5]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN302425264S ,2013-05-01

[6]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN302022920S ,2012-08-01

[7]

发光二极管阵列 [P].

行本富久 ;

国武荣一 ;

佐佐木幸男 .

中国专利 :CN1835253A ,2006-09-20

[8]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN301916644S ,2012-05-16

[9]

发光二极管阵列 [P].

王涛 .

中国专利 :CN114424350A ,2022-04-29

[10]

发光二极管阵列 [P].

叶慧君 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN302022840S ,2012-08-01

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