离子注入方法以及离子注入装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310294160.7

申请日：

2013-07-12

公开(公告)号：

CN103545161B

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

二宫史郎越智昭浩

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01J37304

IPC分类号：

H01J37317

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

徐殿军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607924512 IPC(主分类):H01J 37/304 专利申请号:2013102941607 申请日:20130712
2014-01-29	公开	公开
2017-09-19	授权	授权

共 50 条

[1]

离子注入方法以及离子注入装置 [P].

黑濑猛 ;

井门德安 ;

狩谷宏行 .

中国专利 :CN105023822B ,2015-11-04

[2]

离子注入方法以及离子注入装置 [P].

二宫史郎 ;

香川唯信 ;

弓山敏男 ;

舩井晃 ;

黑田隆之 .

中国专利 :CN103681265A ,2014-03-26

[3]

离子注入装置以及离子注入方法 [P].

石桥和久 ;

宫本恭宽 .

日本专利 :CN120380569A ,2025-07-25

[4]

离子注入方法以及离子注入装置 [P].

佐佐木玄 .

中国专利 :CN108281341B ,2018-07-13

[5]

离子注入装置以及离子注入方法 [P].

平井裕也 ;

赵维江 ;

大村俊辅 ;

中西昭仁 ;

佐藤琢己 .

日本专利 :CN119069327A ,2024-12-03

[6]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

二宫史郎 ;

月原光国 ;

工藤哲也 ;

山田达也 .

中国专利 :CN103050386B ,2013-04-17

[7]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

真锅和久 ;

八木田贵典 .

中国专利 :CN103811257B ,2014-05-21

[8]

离子注入方法和离子注入装置 [P].

浅井博文 ;

桥野义和 .

中国专利 :CN102629543A ,2012-08-08

[9]

离子注入装置、离子注入方法 [P].

辻康之 .

中国专利 :CN101983413B ,2011-03-02

[10]

离子注入设备、离子注入装置 [P].

廖祥华 ;

贺金良 ;

余懍智 ;

杨树鑫 .

中国专利 :CN223552495U ,2025-11-14

← 1 2 3 4 5 →