离子注入装置以及离子注入方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410296076.7
申请日
2024-03-15
公开(公告)号
CN119069327A
公开(公告)日
2024-12-03
发明(设计)人
平井裕也 赵维江 大村俊辅 中西昭仁 佐藤琢己
申请人
日新离子机器株式会社
申请人地址
日本京都府
IPC主分类号
H01J37/32
IPC分类号
H01J37/08
代理机构
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290
代理人
崔迎宾;鹿屹
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
离子注入装置以及离子注入方法 [P]. 
石桥和久 ;
宫本恭宽 .
日本专利 :CN120380569A ,2025-07-25
[2]
离子注入方法以及离子注入装置 [P]. 
佐佐木玄 .
中国专利 :CN108281341B ,2018-07-13
[3]
离子注入装置及离子注入方法 [P]. 
河津翔 ;
井门德安 .
中国专利 :CN110137066B ,2019-08-16
[4]
离子注入方法以及离子注入装置 [P]. 
黑濑猛 ;
井门德安 ;
狩谷宏行 .
中国专利 :CN105023822B ,2015-11-04
[5]
离子注入方法以及离子注入装置 [P]. 
二宫史郎 ;
香川唯信 ;
弓山敏男 ;
舩井晃 ;
黑田隆之 .
中国专利 :CN103681265A ,2014-03-26
[6]
离子注入方法以及离子注入装置 [P]. 
二宫史郎 ;
越智昭浩 .
中国专利 :CN103545161B ,2014-01-29
[7]
离子注入装置及离子注入方法 [P]. 
松下浩 ;
大北义明 .
中国专利 :CN108987225B ,2018-12-11
[8]
离子注入装置及离子注入方法 [P]. 
石桥和久 .
中国专利 :CN112349573A ,2021-02-09
[9]
离子注入装置及离子注入方法 [P]. 
山口干夫 ;
石桥和久 ;
工藤哲也 .
中国专利 :CN114914141A ,2022-08-16
[10]
离子注入装置及离子注入方法 [P]. 
筱塚正光 .
日本专利 :CN120266251A ,2025-07-04