一种半导体器件的缺陷扫描方法及扫描装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710061545.7

申请日：

2017-01-26

公开(公告)号：

CN108364879A

公开(公告)日：

2018-08-03

发明(设计)人：

刘玄伍强刘畅陈思思

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

高伟;冯永贞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20170126
2018-08-03	公开	公开
2020-07-24	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及扫描测试方法 [P].

前田洋一 ;

松嶋润 ;

和田弘树 .

中国专利 :CN107430166B ,2017-12-01

[2]

一种扫描装置及扫描方法 [P].

马宣 ;

王兆民 ;

方兆翔 ;

曹炳辰 ;

孙瑞 .

中国专利 :CN111190164B ,2020-05-22

[3]

半导体器件及形成半导体器件的方法 [P].

章敏 .

中国专利 :CN113130520A ,2021-07-16

[4]

一种半导体激光集成器件以及扫描成像方法 [P].

陈乃奇 ;

张向非 ;

陈钢 .

中国专利 :CN117673899A ,2024-03-08

[5]

消除半导体器件表面缺陷的方法及半导体器件 [P].

韩秋华 ;

杜珊珊 ;

黄怡 ;

赵林林 .

中国专利 :CN101740379B ,2010-06-16

[6]

扫描装置的扫描方法及扫描装置 [P].

王贤君 ;

赵明杰 ;

于建春 .

中国专利 :CN101668103A ,2010-03-10

[7]

一种防缺陷的半导体器件蚀刻方法及半导体器件形成方法 [P].

华强 ;

周耀辉 .

中国专利 :CN104882375B ,2015-09-02

[8]

半导体器件检查方法及半导体器件检查装置 [P].

茅根慎通 ;

中村共则 ;

嶋瀬朗 .

中国专利 :CN115667955A ,2023-01-31

[9]

半导体器件检查方法及半导体器件检查装置 [P].

茅根慎通 ;

中村共则 ;

嶋瀬朗 ;

江浦茂 .

中国专利 :CN115552261A ,2022-12-30

[10]

半导体器件的缺陷检测方法 [P].

林龙辉 ;

陈嘉云 ;

罗先得 .

中国专利 :CN1917162A ,2007-02-21

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