存储单元读取电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810961601.7
申请日
2018-08-22
公开(公告)号
CN110858496A
公开(公告)日
2020-03-03
发明(设计)人
简红 蒋信 熊保玉
申请人
申请人地址
311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室
IPC主分类号
G11C1116
IPC分类号
代理机构
北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667
代理人
赵永刚
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
用于读取存储单元的读取电路 [P]. 
E·塞温克 ;
A·M·M·西斯 ;
P·范德斯蒂格 ;
M·M·斯托姆斯 .
中国专利 :CN100431039C ,2005-06-15
[2]
数据读取电路及存储单元 [P]. 
侯海华 ;
李智 ;
姜敏 .
中国专利 :CN111755059B ,2020-10-09
[3]
数据读取电路及存储单元 [P]. 
汪腾野 ;
王韬 ;
倪昊 .
中国专利 :CN111916124B ,2020-11-10
[4]
存储单元的读取电路和存储器 [P]. 
肖军 .
中国专利 :CN103077745A ,2013-05-01
[5]
存储单元的读取方法 [P]. 
陆虹 ;
孙轶君 ;
王佳宁 ;
景欣 ;
孙佳佳 ;
袁方 .
中国专利 :CN103531241A ,2014-01-22
[6]
存储单元的数据读取方法 [P]. 
赵立新 ;
乔劲轩 ;
黄诗剑 .
中国专利 :CN113395465A ,2021-09-14
[7]
存储器、存储单元的读取电路及读取方法 [P]. 
杨光军 ;
黄明永 .
中国专利 :CN103824597A ,2014-05-28
[8]
存储单元的数据读取方法 [P]. 
赵立新 ;
乔劲轩 ;
黄诗剑 .
中国专利 :CN113395465B ,2024-03-05
[9]
SRAM存储单元、形成存储单元的电路及形成方法 [P]. 
甘正浩 ;
冯军宏 .
中国专利 :CN103514943B ,2014-01-15
[10]
存储单元电路 [P]. 
近藤哲二郎 ;
市川勉 ;
野出泰史 .
中国专利 :CN101127236B ,2008-02-20