存储单元读取电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810961601.7

申请日：

2018-08-22

公开(公告)号：

CN110858496A

公开(公告)日：

2020-03-03

发明(设计)人：

简红蒋信熊保玉

申请人：

申请人地址：

311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

IPC主分类号：

G11C1116

IPC分类号：

代理机构：

北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667

代理人：

赵永刚

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11C 11/16 申请公布日:20200303
2020-03-03	公开	公开
2020-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/16 申请日:20180822

共 50 条

[41]

一种非挥发性SRAM存储单元电路 [P].

汪金辉 ;

王丽娜 ;

吕贵涛 ;

侯立刚 ;

宫娜 .

中国专利 :CN104464794B ,2015-03-25

[42]

一种非挥发性SRAM存储单元电路 [P].

汪金辉 ;

王丽娜 ;

吕贵涛 ;

侯立刚 ;

宫娜 .

中国专利 :CN204332377U ,2015-05-13

[43]

SRAM存储单元、存储阵列及存储器 [P].

王林 .

中国专利 :CN105336363A ,2016-02-17

[44]

SRAM存储单元、存储阵列及存储器 [P].

王林 .

中国专利 :CN105206298B ,2015-12-30

[45]

SRAM存储单元、存储阵列及存储器 [P].

王林 .

中国专利 :CN105336364A ,2016-02-17

[46]

ROM存储单元、存储阵列、存储器及读取方法 [P].

王林 .

中国专利 :CN105448342A ,2016-03-30

[47]

ROM存储单元、存储阵列、存储器及读取方法 [P].

王林 .

中国专利 :CN105336372B ,2016-02-17

[48]

存储单元,存储单元装置和制造方法 [P].

H·帕尔姆 ;

J·威尔默 ;

A·格拉茨 ;

J·克里滋 ;

M·雷赫里奇 .

中国专利 :CN1446378A ,2003-10-01

[49]

一种14T抗辐照SRAM存储单元电路 [P].

赵强 ;

董汉文 ;

吕盼稂 ;

朱志国 ;

彭春雨 ;

卢文娟 ;

吴秀龙 ;

蔺智挺 ;

陈军宁 .

中国专利 :CN113764009A ,2021-12-07

[50]

一种14T抗辐照SRAM存储单元电路 [P].

郝礼才 ;

刘新宇 ;

彭春雨 ;

赵强 ;

卢文娟 ;

高珊 ;

蔺智挺 ;

吴秀龙 ;

陈军宁 .

中国专利 :CN114496021B ,2025-07-29

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