半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202080040749.2
申请日
2020-05-25
公开(公告)号
CN113939983A
公开(公告)日
2022-01-14
发明(设计)人
阪田茂男 梶西孝博 木原诚一郎 高原博司
申请人
申请人地址
日本国大阪府
IPC主分类号
H02M108
IPC分类号
G01R3126
代理机构
上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291
代理人
杨楷;毛立群
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法 [P]. 
阪田茂男 ;
梶西孝博 ;
木原诚一郎 ;
高原博司 .
日本专利 :CN113939983B ,2025-10-24
[2]
半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法 [P]. 
阪田茂男 ;
梶西孝博 ;
木原诚一郎 ;
高原博司 .
日本专利 :CN121114708A ,2025-12-12
[3]
半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法 [P]. 
阪田茂男 ;
梶西孝博 ;
木原诚一郎 ;
高原博司 .
日本专利 :CN121114707A ,2025-12-12
[4]
接触探针、半导体元件试验装置及半导体元件试验方法 [P]. 
吉田满 .
中国专利 :CN107505485B ,2017-12-22
[5]
半导体元件的特性试验装置和半导体元件的特性试验方法 [P]. 
山本浩 .
中国专利 :CN102998606A ,2013-03-27
[6]
半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中西学 ;
上野和起 .
日本专利 :CN120188268A ,2025-06-20
[7]
半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中西学 ;
水野高博 .
日本专利 :CN115461630B ,2025-05-09
[8]
半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中西学 ;
水野高博 .
中国专利 :CN115461630A ,2022-12-09
[9]
功率半导体元件试验装置 [P]. 
阪田茂男 ;
梶西孝博 ;
木原诚一郎 ;
高原博司 .
日本专利 :CN120342195A ,2025-07-18
[10]
功率半导体元件试验装置 [P]. 
阪田茂男 ;
梶西孝博 ;
木原诚一郎 ;
高原博司 .
日本专利 :CN121114709A ,2025-12-12