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半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202080040749.2
申请日
:
2020-05-25
公开(公告)号
:
CN113939983A
公开(公告)日
:
2022-01-14
发明(设计)人
:
阪田茂男
梶西孝博
木原诚一郎
高原博司
申请人
:
申请人地址
:
日本国大阪府
IPC主分类号
:
H02M108
IPC分类号
:
G01R3126
代理机构
:
上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291
代理人
:
杨楷;毛立群
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-02-01
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 1/08 申请日:20200525
2022-01-14
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法
[P].
阪田茂男
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
阪田茂男
;
梶西孝博
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
梶西孝博
;
木原诚一郎
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
木原诚一郎
;
高原博司
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
高原博司
.
日本专利
:CN113939983B
,2025-10-24
[2]
半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法
[P].
阪田茂男
论文数:
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
阪田茂男
;
梶西孝博
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
梶西孝博
;
木原诚一郎
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
木原诚一郎
;
高原博司
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
高原博司
.
日本专利
:CN121114708A
,2025-12-12
[3]
半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法
[P].
阪田茂男
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
阪田茂男
;
梶西孝博
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
梶西孝博
;
木原诚一郎
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
木原诚一郎
;
高原博司
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
高原博司
.
日本专利
:CN121114707A
,2025-12-12
[4]
接触探针、半导体元件试验装置及半导体元件试验方法
[P].
吉田满
论文数:
0
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0
吉田满
.
中国专利
:CN107505485B
,2017-12-22
[5]
半导体元件的特性试验装置和半导体元件的特性试验方法
[P].
山本浩
论文数:
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山本浩
.
中国专利
:CN102998606A
,2013-03-27
[6]
半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法
[P].
中西学
论文数:
0
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
中西学
;
上野和起
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
上野和起
.
日本专利
:CN120188268A
,2025-06-20
[7]
半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法
[P].
中西学
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0
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
中西学
;
水野高博
论文数:
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
水野高博
.
日本专利
:CN115461630B
,2025-05-09
[8]
半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法
[P].
中西学
论文数:
0
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中西学
;
水野高博
论文数:
0
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0
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0
水野高博
.
中国专利
:CN115461630A
,2022-12-09
[9]
功率半导体元件试验装置
[P].
阪田茂男
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
阪田茂男
;
梶西孝博
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
梶西孝博
;
木原诚一郎
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
木原诚一郎
;
高原博司
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
高原博司
.
日本专利
:CN120342195A
,2025-07-18
[10]
功率半导体元件试验装置
[P].
阪田茂男
论文数:
0
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
阪田茂男
;
梶西孝博
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
梶西孝博
;
木原诚一郎
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
木原诚一郎
;
高原博司
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机构:
阔智有限公司
阔智有限公司
高原博司
.
日本专利
:CN121114709A
,2025-12-12
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