半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法

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申请号
CN202180030989.9
申请日
2021-02-25
公开(公告)号
CN115461630A
公开(公告)日
2022-12-09
发明(设计)人
中西学 水野高博
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
G01R3126
IPC分类号
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
孙明浩
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中西学 ;
水野高博 .
日本专利 :CN115461630B ,2025-05-09
[2]
半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中西学 ;
上野和起 .
日本专利 :CN120188268A ,2025-06-20
[3]
触头、半导体试验装置以及半导体试验方法 [P]. 
丸山真生 ;
小池幸司 .
中国专利 :CN104749512B ,2015-07-01
[4]
半导体试验装置、半导体装置的试验方法和制造方法 [P]. 
西村安正 .
中国专利 :CN1412829A ,2003-04-23
[5]
半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法 [P]. 
阪田茂男 ;
梶西孝博 ;
木原诚一郎 ;
高原博司 .
日本专利 :CN121114708A ,2025-12-12
[6]
半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法 [P]. 
阪田茂男 ;
梶西孝博 ;
木原诚一郎 ;
高原博司 .
日本专利 :CN113939983B ,2025-10-24
[7]
半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法 [P]. 
阪田茂男 ;
梶西孝博 ;
木原诚一郎 ;
高原博司 .
日本专利 :CN121114707A ,2025-12-12
[8]
半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法 [P]. 
阪田茂男 ;
梶西孝博 ;
木原诚一郎 ;
高原博司 .
中国专利 :CN113939983A ,2022-01-14
[9]
半导体试验装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
野村典嗣 ;
吉村卓哉 .
日本专利 :CN118584278A ,2024-09-03
[10]
接触探针、半导体元件试验装置及半导体元件试验方法 [P]. 
吉田满 .
中国专利 :CN107505485B ,2017-12-22