触头、半导体试验装置以及半导体试验方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410608511.1

申请日：

2014-11-03

公开(公告)号：

CN104749512B

公开(公告)日：

2015-07-01

发明(设计)人：

丸山真生小池幸司

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

G01R1067

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

王颖;金玉兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618656634 IPC(主分类):G01R 31/26 专利申请号:2014106085111 申请日:20141103
2015-07-01	公开	公开
2018-05-04	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法 [P].

中西学 ;

上野和起 .

日本专利 :CN120188268A ,2025-06-20

[2]

半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法 [P].

中西学 ;

水野高博 .

日本专利 :CN115461630B ,2025-05-09

[3]

半导体试验装置、半导体试验方法以及半导体装置的制造方法 [P].

中西学 ;

水野高博 .

中国专利 :CN115461630A ,2022-12-09

[4]

半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法 [P].

阪田茂男 ;

梶西孝博 ;

木原诚一郎 ;

高原博司 .

日本专利 :CN121114708A ,2025-12-12

[5]

半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法 [P].

阪田茂男 ;

梶西孝博 ;

木原诚一郎 ;

高原博司 .

日本专利 :CN113939983B ,2025-10-24

[6]

半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法 [P].

阪田茂男 ;

梶西孝博 ;

木原诚一郎 ;

高原博司 .

日本专利 :CN121114707A ,2025-12-12

[7]

半导体元件试验装置以及半导体元件的试验方法 [P].

阪田茂男 ;

梶西孝博 ;

木原诚一郎 ;

高原博司 .

中国专利 :CN113939983A ,2022-01-14

[8]

半导体试验装置、半导体装置的试验方法和制造方法 [P].

西村安正 .

中国专利 :CN1412829A ,2003-04-23

[9]

接触探针、半导体元件试验装置及半导体元件试验方法 [P].

吉田满 .

中国专利 :CN107505485B ,2017-12-22

[10]

半导体试验装置以及半导体存储器的试验方法 [P].

佐藤新哉 ;

太幡诚 .

中国专利 :CN101313366A ,2008-11-26

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