原位置换反应热压制备SiC/Ti3SiC2材料的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810105375.9
申请日
2008-04-29
公开(公告)号
CN101269966A
公开(公告)日
2008-09-24
发明(设计)人
李世波 向卫华 周洋 翟洪祥
申请人
申请人地址
100044北京市海淀区西直门外上园村3号
IPC主分类号
C04B3556
IPC分类号
C04B35622
代理机构
代理人
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
Ti3SiC2改性C/SiC复合材料的制备方法 [P]. 
殷小玮 ;
张立同 ;
成来飞 ;
何珊珊 ;
范尚武 ;
刘永胜 .
中国专利 :CN101508591B ,2009-08-19
[2]
一种Ti3SiC2/SiC/Al复合材料的制备方法 [P]. 
马瑞娜 ;
王威 ;
曹晓明 ;
杜安 ;
范永哲 ;
赵雪 .
中国专利 :CN106631169A ,2017-05-10
[3]
高韧性Al2O3/Ti3SiC2层状陶瓷复合材料及其热压制备方法 [P]. 
汪长安 ;
昝青峰 ;
赵世柯 ;
黄勇 .
中国专利 :CN1477081A ,2004-02-25
[4]
一种原位反应热压合成TiB2-NbC-SiC高温陶瓷复合材料的制备方法 [P]. 
周延春 ;
胡春峰 ;
包亦望 .
中国专利 :CN100424039C ,2007-09-12
[5]
一种原位反应热压合成TaC-SiC陶瓷复合材料 [P]. 
周延春 ;
胡春峰 ;
何灵峰 ;
包亦望 .
中国专利 :CN101417878B ,2009-04-29
[6]
Ti3SiC2基复合材料涂层及等离子喷涂原位反应制备方法 [P]. 
陈瑶 ;
刘卫卫 ;
赵栋 ;
齐菲 ;
王永光 ;
邢占文 .
中国专利 :CN104451517A ,2015-03-25
[7]
Ag/Ti3SiC2电接触复合材料的制备方法 [P]. 
杨辉 ;
贺庆 ;
陈乐生 ;
申乾宏 ;
乔秀清 ;
樊先平 .
中国专利 :CN102312150A ,2012-01-11
[8]
一种多孔Ti3SiC2/SiC复合材料及其制备方法 [P]. 
刘新利 ;
贺跃辉 ;
江垚 ;
张惠斌 .
中国专利 :CN110885254A ,2020-03-17
[9]
一种原位(TiB2+SiC)/Ti3SiC2复相陶瓷材料及其制备方法 [P]. 
杨建 ;
宋凯 ;
丘泰 ;
潘丽梅 .
中国专利 :CN102173802B ,2011-09-07
[10]
一种原位铝基复合材料反应热压制备方法 [P]. 
马宗义 ;
毕敬 .
中国专利 :CN1376549A ,2002-10-30