一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810119126.5
申请日
2008-08-27
公开(公告)号
CN101339128A
公开(公告)日
2009-01-07
发明(设计)人
杨欢 李飞 罗先刚 杜春雷
申请人
申请人地址
610209四川省双流350信箱
IPC主分类号
G01N2155
IPC分类号
G01N2141
代理机构
北京科迪生专利代理有限责任公司
代理人
贾玉忠;卢纪
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
表面等离子体共振成像金膜点微阵列的制备方法 [P]. 
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一种表面等离子体共振芯片的制备方法 [P]. 
牛利 ;
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[3]
表面等离子体共振成像检测装置 [P]. 
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
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汪之又 ;
刘鸿 ;
朱劲松 .
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[8]
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[9]
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