一种低吸油值高比表面积磨擦型二氧化硅及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910010477.0

申请日：

2019-01-02

公开(公告)号：

CN109485054A

公开(公告)日：

2019-03-19

发明(设计)人：

任振雪梁少彬高文颖林英光李丽峰

申请人：

申请人地址：

510663 广东省广州市黄埔区茅岗村坑田大街32号鱼珠智谷E-PARK创意园A10号

IPC主分类号：

C01B3318

IPC分类号：

A61K825 A61Q1100

代理机构：

广州胜沃园专利代理有限公司 44416

代理人：

张帅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-19	公开	公开
2019-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/18 申请日:20190102
2019-10-01	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高吸油值低比表面积二氧化硅及其制备方法 [P].

马逸梅 ;

曹晓庆 ;

张文证 .

中国专利 :CN114132938B ,2022-03-04

[2]

一种高比表面积高吸油值二氧化硅的制备方法 [P].

昌娅琪 ;

林英光 ;

张梦梅 ;

庹文喜 ;

胡荷燕 .

中国专利 :CN107324346A ,2017-11-07

[3]

一种低比表面积高吸油值磨擦型二氧化硅及其制备方法 [P].

庹文喜 ;

胡荷燕 ;

林英光 ;

张梦梅 ;

候灿明 .

中国专利 :CN108190900A ,2018-06-22

[4]

一种低吸油值、高比表面积的二氧化硅的制备方法 [P].

任振雪 ;

马逸敏 ;

梁少彬 ;

胡非 ;

林英光 .

中国专利 :CN111484024B ,2020-08-04

[5]

一种高比表面积低吸油值二氧化硅的制备方法及其产品 [P].

雷茂生 ;

雷延熙 .

中国专利 :CN111573683B ,2020-08-25

[6]

一种高比表面积与高吸附VOC型二氧化硅及其制备方法 [P].

黄真 ;

任振雪 ;

林英光 ;

高文颖 ;

张梦梅 .

中国专利 :CN109437211B ,2019-03-08

[7]

一种低比表面积二氧化硅的制备方法 [P].

洪清华 ;

郑松玲 ;

王宪伟 ;

任振雪 ;

赵国法 .

中国专利 :CN106829969A ,2017-06-13

[8]

一种低吸油、低比表面积二氧化硅的制备方法 [P].

任立荣 ;

徐钰兴 ;

陈仲林 ;

徐功智 ;

曾志恩 .

中国专利 :CN115571886A ,2023-01-06

[9]

一种低比表面积高分散性增稠型二氧化硅及其制备方法 [P].

王宪伟 ;

郑松玲 ;

庹文喜 ;

李飞虎 ;

洪清华 .

中国专利 :CN109231221A ,2019-01-18

[10]

一种高比表面积纳米二氧化硅的制备方法 [P].

宋晓岚 ;

江楠 ;

邱冠周 ;

李宇焜 ;

杨华明 ;

金胜明 ;

徐大余 .

中国专利 :CN101172608B ,2008-05-07

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