一种高比表面积低吸油值二氧化硅的制备方法及其产品

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010657018.4

申请日：

2020-07-09

公开(公告)号：

CN111573683B

公开(公告)日：

2020-08-25

发明(设计)人：

雷茂生雷延熙

申请人：

申请人地址：

353000 福建省南平市工业园区罗源组团

IPC主分类号：

C01B33193

IPC分类号：

代理机构：

福州鼎新知识产权代理有限公司 35263

代理人：

李向楠;杨慧娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/193 申请日:20200709
2021-12-28	授权	授权
2020-08-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种低吸油、低比表面积二氧化硅的制备方法 [P].

任立荣 ;

徐钰兴 ;

陈仲林 ;

徐功智 ;

曾志恩 .

中国专利 :CN115571886A ,2023-01-06

[2]

一种低吸油值、高比表面积的二氧化硅的制备方法 [P].

任振雪 ;

马逸敏 ;

梁少彬 ;

胡非 ;

林英光 .

中国专利 :CN111484024B ,2020-08-04

[3]

一种高吸油值低比表面积二氧化硅及其制备方法 [P].

马逸梅 ;

曹晓庆 ;

张文证 .

中国专利 :CN114132938B ,2022-03-04

[4]

一种高比表面积高吸油值二氧化硅的制备方法 [P].

昌娅琪 ;

林英光 ;

张梦梅 ;

庹文喜 ;

胡荷燕 .

中国专利 :CN107324346A ,2017-11-07

[5]

一种低吸油值高比表面积磨擦型二氧化硅及其制备方法 [P].

任振雪 ;

梁少彬 ;

高文颖 ;

林英光 ;

李丽峰 .

中国专利 :CN109485054A ,2019-03-19

[6]

一种低比表面积高吸油值磨擦型二氧化硅及其制备方法 [P].

庹文喜 ;

胡荷燕 ;

林英光 ;

张梦梅 ;

候灿明 .

中国专利 :CN108190900A ,2018-06-22

[7]

一种高比表面积多孔二氧化硅的制备方法 [P].

李新生 ;

石磊 ;

韦悦周 .

中国专利 :CN112919482A ,2021-06-08

[8]

一种高吸油高比表面积的二氧化硅的制备方法及其应用 [P].

马逸敏 ;

张文证 ;

胡非 .

中国专利 :CN112250074A ,2021-01-22

[9]

一种高比表面积二氧化硅的制备方法 [P].

张起森 ;

游昌贵 .

中国专利 :CN111017933A ,2020-04-17

[10]

一种大比表面积、高吸油值沉淀二氧化硅的制备方法 [P].

卢元方 ;

陈家茂 ;

余惠华 .

中国专利 :CN106829976B ,2017-06-13

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