一种大比表面积、高吸油值沉淀二氧化硅的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710155929.5

申请日：

2017-03-16

公开(公告)号：

CN106829976B

公开(公告)日：

2017-06-13

发明(设计)人：

卢元方陈家茂余惠华

申请人：

申请人地址：

365508 福建省三明市沙县高砂镇大龙工业区

IPC主分类号：

C01B33193

IPC分类号：

代理机构：

福州元创专利商标代理有限公司 35100

代理人：

蔡学俊

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-30	授权	授权
2017-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101731984744 IPC(主分类):C01B 33/193 专利申请号:2017101559295 申请日:20170316
2017-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高比表面积高吸油值二氧化硅的制备方法 [P].

昌娅琪 ;

林英光 ;

张梦梅 ;

庹文喜 ;

胡荷燕 .

中国专利 :CN107324346A ,2017-11-07

[2]

一种高吸油值低比表面积二氧化硅及其制备方法 [P].

马逸梅 ;

曹晓庆 ;

张文证 .

中国专利 :CN114132938B ,2022-03-04

[3]

一种低吸油值、高比表面积的二氧化硅的制备方法 [P].

任振雪 ;

马逸敏 ;

梁少彬 ;

胡非 ;

林英光 .

中国专利 :CN111484024B ,2020-08-04

[4]

一种低吸油值高比表面积磨擦型二氧化硅及其制备方法 [P].

任振雪 ;

梁少彬 ;

高文颖 ;

林英光 ;

李丽峰 .

中国专利 :CN109485054A ,2019-03-19

[5]

一种特大比表面积二氧化硅消光粉的制备方法 [P].

张原僖 ;

张伟 ;

刘娟梅 ;

梁建强 ;

师宇刚 ;

赵燕平 ;

赵建卿 .

中国专利 :CN108408732A ,2018-08-17

[6]

一种高吸油高比表面积的二氧化硅的制备方法及其应用 [P].

马逸敏 ;

张文证 ;

胡非 .

中国专利 :CN112250074A ,2021-01-22

[7]

沉淀法制备高吸油值高比表面积的蓄电池用二氧化硅 [P].

马逸敏 ;

谭昊存 ;

梁少彬 ;

张文证 ;

曹晓庆 .

中国专利 :CN113603104B ,2021-11-05

[8]

一种高比表面积纳米二氧化硅的制备方法 [P].

宋晓岚 ;

江楠 ;

邱冠周 ;

李宇焜 ;

杨华明 ;

金胜明 ;

徐大余 .

中国专利 :CN101172608B ,2008-05-07

[9]

一种高比表面积低吸油值二氧化硅的制备方法及其产品 [P].

雷茂生 ;

雷延熙 .

中国专利 :CN111573683B ,2020-08-25

[10]

一种高比表面积二氧化硅的制备方法 [P].

张起森 ;

游昌贵 .

中国专利 :CN111017933A ,2020-04-17

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