一种基于磁电阻效应的悬臂式振动传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011074340.0

申请日：

2020-10-09

公开(公告)号：

CN112179478B

公开(公告)日：

2021-01-05

发明(设计)人：

付本元居本祥

申请人：

申请人地址：

400054 重庆市巴南区红光大道69号

IPC主分类号：

G01H1102

IPC分类号：

代理机构：

重庆天成卓越专利代理事务所(普通合伙) 50240

代理人：

谭小容

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-05	公开	公开
2021-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01H 11/02 申请日:20201009
2022-09-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于磁电阻效应的新型应力传感器 [P].

李富强 ;

宋宁 ;

杜边境 .

中国专利 :CN214545111U ,2021-10-29

[2]

一种基于磁电阻效应的新型应力传感器 [P].

许小勇 ;

张丽娟 ;

朱洁 ;

苏垣昌 ;

胡经国 .

中国专利 :CN102692287A ,2012-09-26

[3]

基于磁电效应的精密振动传感器 [P].

杨斌堂 ;

杨诣坤 ;

吴浩慜 .

中国专利 :CN113588067A ,2021-11-02

[4]

基于磁电效应的精密振动传感器 [P].

杨斌堂 ;

杨诣坤 ;

吴浩慜 .

中国专利 :CN215677269U ,2022-01-28

[5]

一种基于隧道磁电阻效应的双向大电流TMR传感器 [P].

武旭 ;

李亚 ;

王林森 ;

蒋力 .

中国专利 :CN118671421A ,2024-09-20

[6]

基于多磁头磁电阻效应传感器的位置测量方法及传感器 [P].

任健 ;

郑波 .

中国专利 :CN118671671A ,2024-09-20

[7]

基于多磁头磁电阻效应传感器的位置测量方法及传感器 [P].

任健 ;

郑波 .

中国专利 :CN118671671B ,2024-12-10

[8]

巨磁电阻传感器 [P].

王林忠 ;

杜军 ;

曾荣伟 ;

肖又专 ;

库万军 .

中国专利 :CN2466665Y ,2001-12-19

[9]

配重式振动传感器以及采用振动传感器的智能门铃 [P].

李兴文 ;

孙倩倩 .

中国专利 :CN204926349U ,2015-12-30

[10]

一种基于巨磁电阻效应的测量磁场方向和强度的传感器 [P].

何金良 ;

嵇士杰 ;

胡军 ;

刘俊 ;

欧阳勇 .

中国专利 :CN102129053B ,2011-07-20

← 1 2 3 4 5 →