基于多磁头磁电阻效应传感器的位置测量方法及传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411140085.3

申请日：

2024-08-20

公开(公告)号：

CN118671671A

公开(公告)日：

2024-09-20

发明(设计)人：

任健郑波

申请人：

杭州海康威视数字技术股份有限公司

申请人地址：

310051 浙江省杭州市滨江区阡陌路555号

IPC主分类号：

G01R33/06

IPC分类号：

G01R33/00

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

袁圣菲;黄健

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	授权	授权
2024-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 33/06申请日:20240820
2024-09-20	公开	公开

共 50 条

[1]

基于多磁头磁电阻效应传感器的位置测量方法及传感器 [P].

任健 ;

郑波 .

中国专利 :CN118671671B ,2024-12-10

[2]

一种基于隧道磁电阻效应的电流传感器磁场测量方法 [P].

陈梁远 ;

马源 ;

张炜 ;

李锐 ;

黄炜 ;

潘绍明 ;

芦宇峰 ;

苏毅 ;

张磊 .

中国专利 :CN120577745A ,2025-09-02

[3]

磁电阻传感器及操作磁电阻传感器的方法 [P].

斯蒂芬·布茨曼 ;

马库斯·普洛查斯卡 .

中国专利 :CN101855563A ,2010-10-06

[4]

巨磁电阻传感器 [P].

王林忠 ;

杜军 ;

曾荣伟 ;

肖又专 ;

库万军 .

中国专利 :CN2466665Y ,2001-12-19

[5]

磁电阻传感器 [P].

李大来 ;

王鑫 .

中国专利 :CN218445934U ,2023-02-03

[6]

磁电阻传感器 [P].

李大来 ;

王鑫 .

中国专利 :CN115436849A ,2022-12-06

[7]

一种基于磁电阻效应的新型应力传感器 [P].

李富强 ;

宋宁 ;

杜边境 .

中国专利 :CN214545111U ,2021-10-29

[8]

一种基于磁电阻效应的新型应力传感器 [P].

许小勇 ;

张丽娟 ;

朱洁 ;

苏垣昌 ;

胡经国 .

中国专利 :CN102692287A ,2012-09-26

[9]

磁电阻传感器和集成传感器 [P].

D·帕希 ;

M·马彻西 ;

M·莫里利 .

中国专利 :CN205539418U ,2016-08-31

[10]

磁电阻传感器自由层及宽量程磁电阻传感器 [P].

陈伟斌 ;

程志渊 .

中国专利 :CN119104958A ,2024-12-10

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