磁电阻传感器自由层及宽量程磁电阻传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411121859.8

申请日：

2024-08-15

公开(公告)号：

CN119104958A

公开(公告)日：

2024-12-10

发明(设计)人：

陈伟斌程志渊

申请人：

浙江大学

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

G01R33/09

IPC分类号：

代理机构：

杭州君锐达知识产权代理有限公司 33544

代理人：

黄欢娣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 33/09申请日:20240815
2024-12-10	公开	公开

共 50 条

[1]

磁电阻传感器 [P].

李大来 ;

王鑫 .

中国专利 :CN115436849A ,2022-12-06

[2]

磁电阻传感器 [P].

李大来 ;

王鑫 .

中国专利 :CN218445934U ,2023-02-03

[3]

磁电阻传感器及操作磁电阻传感器的方法 [P].

斯蒂芬·布茨曼 ;

马库斯·普洛查斯卡 .

中国专利 :CN101855563A ,2010-10-06

[4]

磁电阻角度传感器 [P].

李大来 ;

王鑫 .

中国专利 :CN115479537A ,2022-12-16

[5]

宽量程隧道磁电阻传感器及惠斯通半桥 [P].

李求洋 ;

张蓬鹤 ;

张卫欣 ;

熊素琴 ;

陈思禹 ;

刘卿 ;

李祯祥 .

中国专利 :CN112082579A ,2020-12-15

[6]

磁电阻角度传感器 [P].

李大来 ;

王鑫 .

中国专利 :CN218443722U ,2023-02-03

[7]

磁电阻传感器芯片 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

胡忠强 ;

朱红艳 ;

朱家训 .

中国专利 :CN112363097A ,2021-02-12

[8]

巨磁电阻传感器 [P].

王林忠 ;

杜军 ;

曾荣伟 ;

肖又专 ;

库万军 .

中国专利 :CN2466665Y ,2001-12-19

[9]

磁电阻传感器和集成传感器 [P].

D·帕希 ;

M·马彻西 ;

M·莫里利 .

中国专利 :CN205539418U ,2016-08-31

[10]

磁电阻成像传感器阵列 [P].

薛松生 ;

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 ;

马克·C·仝大 .

中国专利 :CN203350427U ,2013-12-18

← 1 2 3 4 5 →