薄膜晶体管制造方法及其栅极制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610156920.8

申请日：

2006-11-17

公开(公告)号：

CN101192527A

公开(公告)日：

2008-06-04

发明(设计)人：

颜硕廷

申请人：

申请人地址：

518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-06-04	公开	公开
2018-01-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20061117 授权公告日:20090819 终止日期:20161117
2009-08-19	授权	授权
2008-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

薄膜晶体管制造方法 [P].

吴英明 ;

苏大荣 ;

许翼材 ;

高金字 .

中国专利 :CN100405560C ,2006-02-01

[2]

薄膜晶体管制造方法 [P].

赵继刚 ;

袁泽 ;

余晓军 ;

魏鹏 ;

古普塔阿米特 ;

鲁萍 ;

琼蒂娜 ;

罗浩俊 ;

游埃里克凯翔 .

中国专利 :CN107438903B ,2017-12-05

[3]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

秦洪基 ;

金湘甲 ;

吴旼锡 ;

金周汉 .

中国专利 :CN101097928A ,2008-01-02

[4]

薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 [P].

昔俊亨 ;

李正荣 ;

尹钟秀 ;

崔权永 ;

白范基 .

中国专利 :CN100399169C ,2004-08-04

[5]

薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 [P].

许成权 ;

闵勋基 ;

姜镐民 ;

李仁成 ;

洪性秀 ;

安基完 .

中国专利 :CN100521189C ,2006-09-06

[6]

薄膜晶体管基板及其制造方法 [P].

刘妘诗 ;

谢朝桦 ;

黄上育 .

中国专利 :CN101477989A ,2009-07-08

[7]

薄膜晶体管基板及其制造方法 [P].

洪肇逸 ;

陈智豪 .

中国专利 :CN1956172A ,2007-05-02

[8]

薄膜晶体管基板及其制造方法 [P].

宋根圭 ;

金永敏 ;

崔泰荣 .

中国专利 :CN100573957C ,2007-01-31

[9]

薄膜晶体管制造方法 [P].

颜硕廷 .

中国专利 :CN1979778A ,2007-06-13

[10]

薄膜晶体管基板及其制造方法 [P].

陈弘育 ;

彭家鹏 .

中国专利 :CN101192614A ,2008-06-04

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