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半导体激光元件及半导体激光元件的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011101916.8
申请日：
2020-10-15
公开(公告)号：
CN112713502A
公开(公告)日：
2021-04-27
发明(设计)人：
伊藤友树 平谷拓生
申请人：
申请人地址：
日本大阪府大阪市
IPC主分类号：
H01S506
IPC分类号：
H01S5343
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人：
王强;高培培
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-04-27 公开 公开
2022-11-11 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/06 申请日:20201015
共 50 条
[1]
半导体激光元件、半导体激光元件的制造方法 [P]. 
渊田步 ;
奥贯雄一郎 ;
境野刚 ;
上辻哲也 ;
中村直干 .
中国专利 :CN110178275B ,2019-08-27
[2]
半导体激光元件、集成型半导体激光元件、以及半导体激光元件的制造方法 [P]. 
小林刚 .
中国专利 :CN105075038A ,2015-11-18
[3]
半导体激光元件及半导体激光元件的制造方法 [P]. 
竹村公志 ;
井上升 ;
中泽崇一 .
日本专利 :CN118715679A ,2024-09-27
[4]
半导体激光元件及半导体激光元件的制造方法 [P]. 
中津浩二 ;
大川内良彦 .
日本专利 :CN118613977A ,2024-09-06
[5]
半导体激光元件以及半导体激光元件制造方法 [P]. 
谷口英广 ;
石井宏辰 ;
行谷武 .
中国专利 :CN101796699A ,2010-08-04
[6]
半导体激光元件以及半导体激光元件的制造方法 [P]. 
惠良淳史 .
日本专利 :CN118591955A ,2024-09-03
[7]
半导体激光元件 [P]. 
菅康夫 ;
曾我部隆一 .
中国专利 :CN110581438B ,2019-12-17
[8]
半导体激光元件 [P]. 
阿部宪一 ;
秋山浩一 ;
西川智志 .
日本专利 :CN117981186A ,2024-05-03
[9]
半导体激光元件 [P]. 
日高正洋 ;
广濑和义 ;
伊藤昭生 ;
杉山贵浩 .
日本专利 :CN120457607A ,2025-08-08
[10]
半导体激光元件及半导体激光元件阵列 [P]. 
王浟 ;
宫岛博文 ;
渡边明佳 ;
菅博文 .
中国专利 :CN101019284A ,2007-08-15
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