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半导体激光元件及半导体激光元件的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380022515.9
申请日：
2023-02-20
公开(公告)号：
CN118715679A
公开(公告)日：
2024-09-27
发明(设计)人：
竹村公志
井上升
中泽崇一
申请人：
新唐科技日本株式会社
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
H01S5/22
IPC分类号：
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
安香子
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-09-27 | 公开 | 公开 |
| 2025-01-28 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/22申请日:20230220 |