一种高性能InAs量子点激光器及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210890606.1

申请日：

2022-07-27

公开(公告)号：

CN115085009A

公开(公告)日：

2022-09-20

发明(设计)人：

潘淑洁卢莹

申请人：

申请人地址：

413000 湖南省长沙市岳麓山大学科技城岳麓街道科技创意园6栋1层

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01S530

代理机构：

长沙市护航专利代理事务所(特殊普通合伙) 43220

代理人：

莫晓齐

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-22	授权	授权
2022-09-20	公开	公开

共 50 条

[1]

InAs量子点激光器及InAs量子点激光器制备方法 [P].

吴忠宝 ;

高晨 ;

堀川英明 .

中国专利 :CN121149792A ,2025-12-16

[2]

InAs量子点激光器及其制备方法 [P].

卢莹 ;

程宁 .

中国专利 :CN118676737B ,2025-06-17

[3]

InAs量子点激光器及其制备方法 [P].

卢莹 ;

程宁 .

中国专利 :CN118676737A ,2024-09-20

[4]

Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法 [P].

杨涛 ;

吕尊仁 ;

张中恺 .

中国专利 :CN107611780A ,2018-01-19

[5]

一种调制InAs量子点激光器工作波长的方法及结构 [P].

陈星佑 ;

陈意桥 .

中国专利 :CN118336518A ,2024-07-12

[6]

量子点激光器及其制备方法 [P].

李世国 ;

周志文 ;

谭晓玲 ;

张卫丰 ;

王新中 ;

陈艳 .

中国专利 :CN111276869A ,2020-06-12

[7]

量子点级联激光器 [P].

刘峰奇 ;

卓宁 ;

李路 ;

邵烨 ;

刘俊岐 ;

张锦川 ;

王利军 ;

王占国 .

中国专利 :CN102611003A ,2012-07-25

[8]

一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构及制备方法 [P].

陈星佑 ;

陈思铭 ;

唐明初 .

中国专利 :CN113178771A ,2021-07-27

[9]

一种InAs/GaAs量子点外延层结构及其制备方法 [P].

郝晓东 ;

周宇豪 ;

阳智 ;

易浩轩 ;

程睿思 ;

刘思敏 ;

马淑芳 ;

许并社 .

中国专利 :CN120566231A ,2025-08-29

[10]

量子点激光器的制作方法 [P].

张鹏 ;

陆书龙 ;

杨文献 ;

顾颖 ;

邱海兵 ;

张雪 .

中国专利 :CN114725778A ,2022-07-08

← 1 2 3 4 5 →