InAs量子点激光器及InAs量子点激光器制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511700370.0

申请日：

2025-11-18

公开(公告)号：

CN121149792A

公开(公告)日：

2025-12-16

发明(设计)人：

吴忠宝高晨堀川英明

申请人：

杭州泽达半导体有限公司

申请人地址：

311222 浙江省杭州市钱塘区河庄街道东围路599号博潮城6幢北一层、二层

IPC主分类号：

H01S5/34

IPC分类号：

H01S5/343 H01S5/10

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

陈颖

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-16	公开	公开

共 50 条

[1]

InAs量子点激光器及其制备方法 [P].

卢莹 ;

程宁 .

中国专利 :CN118676737B ,2025-06-17

[2]

InAs量子点激光器及其制备方法 [P].

卢莹 ;

程宁 .

中国专利 :CN118676737A ,2024-09-20

[3]

Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法 [P].

杨涛 ;

吕尊仁 ;

张中恺 .

中国专利 :CN107611780A ,2018-01-19

[4]

一种高性能InAs量子点激光器及其制备方法 [P].

潘淑洁 ;

卢莹 .

中国专利 :CN115085009A ,2022-09-20

[5]

量子点级联激光器 [P].

刘峰奇 ;

卓宁 ;

李路 ;

邵烨 ;

刘俊岐 ;

张锦川 ;

王利军 ;

王占国 .

中国专利 :CN102611003A ,2012-07-25

[6]

一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构及制备方法 [P].

陈星佑 ;

陈思铭 ;

唐明初 .

中国专利 :CN113178771A ,2021-07-27

[7]

量子点激光器及其制备方法 [P].

李世国 ;

周志文 ;

谭晓玲 ;

张卫丰 ;

王新中 ;

陈艳 .

中国专利 :CN111276869A ,2020-06-12

[8]

一种调制InAs量子点激光器工作波长的方法及结构 [P].

陈星佑 ;

陈意桥 .

中国专利 :CN118336518A ,2024-07-12

[9]

量子点激光器的制作方法 [P].

张鹏 ;

陆书龙 ;

杨文献 ;

顾颖 ;

邱海兵 ;

张雪 .

中国专利 :CN114725778A ,2022-07-08

[10]

量子点随机光纤激光器 [P].

程辉辉 ;

董俊 .

中国专利 :CN104518417A ,2015-04-15

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